型号:NTMD2P01R2G | 类别:FET - 阵列 | 制造商:ON Semiconductor |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET PWR P-CHAN DUAL 16V 8SOIC |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET PWR P-CHAN DUAL 16V 8SOIC |
系列 | - |
制造商 | ON Semiconductor |
FET型 | 2 个 P 沟道(双) |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 16V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 2.3A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 100 毫欧 @ 2.4A,4.5V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 1.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 18nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 750pF @ 16V |
功率_最大 | 710mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOIC N |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
现代芯城(深圳)科技有限公司 | 董0755-82542579 |
深圳市百域芯科技有限公司 | 雷小姐075582788062 |
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