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电子元器件详细资料 » IC[25885] » NTMD2P01R2G
型号:NTMD2P01R2G类别:FET - 阵列制造商:ON Semiconductor
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET PWR P-CHAN DUAL 16V 8SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET PWR P-CHAN DUAL 16V 8SOIC
系列-
制造商ON Semiconductor
FET型2 个 P 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)16V
电流_连续漏极(Id)0a025000C2.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C100 毫欧 @ 2.4A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221.5V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs18nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds750pF @ 16V
功率_最大710mW
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装带卷 (TR)

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